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技术参数

技术：
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：
40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
4.1 毫欧 @ 80A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
4V @ 45µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）：
56nC @ 10V
Vgs（最大值）：
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
4500pF @ 20V
功率耗散（最大值）：
94W（Tc）
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
表面贴装
供应商器件封装：
D²PAK（TO-263AB）
封装/外壳：
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

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更多IPB041N04NGATMA1供应商更新时间2024-2-29 11:17:00

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