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IPB041N04NGATMA1中文资料MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3数据手册Infineon规格书
技术参数
- 制造商编号
：IPB041N04NGATMA1
- 生产厂家
：Infineon
- 技术
：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）
：40V
- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
：80A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
：10V
- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
：4.1 毫欧 @ 80A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
：4V @ 45µA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
：56nC @ 10V
- Vgs（最大值）
：±20V
- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
：4500pF @ 20V
- FET 功能
：-
- 功率耗散（最大值）
：94W（Tc）
- 工作温度
：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型
：表面贴装
- 供应商器件封装
：D²PAK（TO-263AB）
- 封装/外壳
：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TO-263 |
23+ |
NA |
15659 |
振宏微专业只做正品,假一罚百! |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
2223+ |
TO-263 |
26800 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
询价 | ||
INFINEON |
24+ |
D2PAK(TO-263) |
8866 |
询价 | |||
INFINEON |
TO263 |
4780 |
正品原装--自家现货-实单可谈 |
询价 | |||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
84000 |
只做原装进口现货 |
询价 | |||
INF |
23+ |
TO263 |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
TO-263 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
询价 | ||
INFINEON |
原厂封装 |
1000 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | |||
Infineon Technologies |
23+ |
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
9000 |
原装正品，支持实单 |
询价 |
