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IPB039N04LGATMA1中文资料MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3数据手册Infineon规格书
技术参数
- 制造商编号
：IPB039N04LGATMA1
- 生产厂家
：Infineon
- 技术
：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）
：40V
- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
：80A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
：4.5V，10V
- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
：3.9 毫欧 @ 80A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
：2V @ 45µA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
：78nC @ 10V
- Vgs（最大值）
：±20V
- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
：6100pF @ 25V
- FET 功能
：-
- 功率耗散（最大值）
：94W（Tc）
- 工作温度
：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型
：表面贴装
- 供应商器件封装
：D²PAK（TO-263AB）
- 封装/外壳
：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
INFINEON |
24+ |
TO-263-7L |
20000 |
全新原厂原装，进口正品现货，正规渠道可含税！！ |
询价 | ||
InfineonTechnology |
23+ |
NA |
1322 |
专做原装正品,假一罚百! |
询价 | ||
原装 |
25+23+ |
TO-263-7 |
15816 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
Infineon |
20+ |
NA |
65790 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
标准封装 |
7000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
19850 |
原装正品,假一赔十 |
询价 | |||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
标准封装 |
7000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 |
