丝印：043N10NS；Package：PG-TO263-3；StrongIRFETTM 2 Power-Transistor

Features • Optimized for a wide range of applications • N-Channel, normal level • 100 avalanche tested • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Halogen-free according to IEC61249-2-21

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英飞凌

StrongIRFET ™ 2 单 N 沟道功率 MOSFET 100 V，采用 D²PAK 封装

英飞凌的 StrongIRFET ™ 2 功率 MOSFET 100 V 具有 4.3 mOhm 的低 RDS(on)，可满足从低开关频率到高开关频率的广泛应用。 • 可从分销合作伙伴处获取\n• 卓越的性价比\n• 适用于高和低开关频率\n• 行业标准尺寸封装\n• 高额定电流;

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