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IPB043N10NF2S

丝印:043N10NS;Package:PG-TO263-3;StrongIRFETTM 2 Power-Transistor

Features • Optimized for a wide range of applications • N-Channel, normal level • 100 avalanche tested • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Halogen-free according to IEC61249-2-21

文件:973.3 Kbytes 页数:11 Pages

Infineon

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更多043N10NS供应商 更新时间2025-9-8 9:08:00