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SPP04N80C3	文件：448.56 Kbytes Page：10 Pages	丝印：04N80C3；Package：PG-TO220-3；CoolMOSTM Power Transistor Features • New revolutionary high voltage technology • Extreme dv/dt rated • High peak current capability • Qualified according to JEDEC1) for target applications • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Ultra low gate charge • Ultra low effective capacitances 文件：448.56 Kbytes 页数：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
04N80C3	文件：448.56 Kbytes Page：10 Pages	CoolMOSTM Power Transistor Features • New revolutionary high voltage technology • Extreme dv/dt rated • High peak current capability • Qualified according to JEDEC1) for target applications • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Ultra low gate charge • Ultra low effective capacitances 文件：448.56 Kbytes 页数：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

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更多04N80C3供应商更新时间2025-9-8 9:03:00