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IPB043N10NF2S中文资料StrongIRFET ™ 2 单 N 沟道功率 MOSFET 100 V，采用 D²PAK 封装数据手册Infineon规格书
IPB043N10NF2S规格书详情
描述 Description
英飞凌的 StrongIRFET ™ 2 功率 MOSFET 100 V 具有 4.3 mOhm 的低 RDS(on)，可满足从低开关频率到高开关频率的广泛应用。
特性 Features
• 可从分销合作伙伴处获取
• 卓越的性价比
• 适用于高和低开关频率
• 行业标准尺寸封装
• 高额定电流
应用 Application
• 储能系统
技术参数
- 制造商编号
：IPB043N10NF2S
- 生产厂家
：Infineon
- IDpulsmax
：540 A
- Ptotmax
：167 W
- QG(typ @10V)
：57 nC
- RDS (on)(@10V) max
：4.35 mΩ
- VDSmax
：100 V
- VGS(th)
：3 V
- Package
：D2PAK (TO-263)
- Operating Temperature
：-55 °C to 175 °C
- Polarity
：N
- Budgetary Price €/1k
：0.6
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
24+ |
TO2637 |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
INFINEON |
24+ |
TO-263-7 |
8000 |
原装，正品 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源！ |
询价 | ||
INFINEON |
21+ |
TO263-7 |
200 |
全新原装 |
询价 | ||
INFINEON |
24+ |
TO-263-7 |
15000 |
原装原标原盒 给价就出 全网最低 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
标准封装 |
7000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 | ||
INFINEON |
24+ |
TO-263-7 |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 | ||
INFINEON |
23+ |
TO-263-7 |
20000 |
询价 | |||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
TO263-7 |
2500 |
原装正品 |
询价 |
