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IPB034N03L	文件：280.14 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS?? Power-Transistor Features •FastswitchingMOSFETforSMPS •OptimizedtechnologyforDC/DCconverters •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •N-channel,logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •Avalancherated •Pb-freeplating;Ro	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPB034N03LG	文件：280.14 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS?? Power-Transistor Features •FastswitchingMOSFETforSMPS •OptimizedtechnologyforDC/DCconverters •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •N-channel,logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •Avalancherated •Pb-freeplating;Ro	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPB034N03L-G	文件：280.14 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS?? Power-Transistor Features •FastswitchingMOSFETforSMPS •OptimizedtechnologyforDC/DCconverters •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •N-channel,logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •Avalancherated •Pb-freeplating;Ro	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BSC034N03	文件：812.11 Kbytes Page：4 Pages	N-Ch30VFastSwitchingMOSFETs Features AdvancedTrenchMOSTechnology LowGateCharge LowRDS(ON) 100EASGuaranteed GreenDeviceAvailable Applications PowerManagementinDesktopComputeror DC/DCConverters. IsolatedDC/DCConvertersinTelecomand Industrial.	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
BSC034N03LSG	文件：390.13 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS??Power-MOSFET Features •FastswitchingMOSFETforSMPS •OptimizedtechnologyforDC/DCconverters •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •N-channel;Logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •Superiorthermalresistance •Avalanc	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IIPP034N03L	文件：338.34 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPP034N03L	文件：338.34 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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详细参数

型号：
IPB034N03L
功能描述：
MOSFET N-CH 30V 80A 3.4mOhms
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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