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Infineon(英飞凌)TO-263-3

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INFINEON/英飞凌明嘉莱只做原装正品现货

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深圳市高捷芯城科技有限公司

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Infineon(英飞凌)TO-263-3

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深圳市华跃芯科技有限公司

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深圳市凌旭科技有限公司

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深圳市云美电子科技有限公司

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INFINEON/英飞凌TO-263

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深圳市高捷芯城科技有限公司

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深圳市力仕科电子科技有限公司

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Infineon/英飞凌PG-TO263-3

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IPB026N06N制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 60V 25A TO263-3

IPB026N06NATMA1功能描述:MOSFET MV POWER MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube