首页 >IPB021N10NM5LF2>规格书列表
| 型号 | 下载 订购 | 功能描述 | 制造商 上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
IPB021N10NM5LF2 | 丝印:21N10LF2;Package:PG-TO263-3;MOSFET OptiMOS™ 5 Linear FET 2, 100 V Features • Ideal for hot‑swap and e‑fuse applications • Very low on‑resistance RDS(on) • Wide safe operating area SOA • N‑channel, normal level • 100% avalanche tested • Pb‑free lead plating; RoHS compliant • Halogen‑free according to IEC61249‑2‑21 文件:742.62 Kbytes 页数:12 Pages | INFINEON 英飞凌 | INFINEON | |
IPB021N10NM5LF2 | OptiMOS ™ 5 单 N 沟道线性场效应晶体管 2 100 V,2.1 mΩ,176 A,D²PAK 3 引脚封装 OptiMOS ™ 5 Linear FET 2 技术实现了导通电阻和线性模式能力之间的最佳平衡。IPB021N10NM5LF2 与 D2PAK 3 引脚封装相结合,专为浪涌电流保护应用而设计,例如热插拔、电子保险丝和电池管理系统 (BMS) 中的电池保护。 • 宽安全操作区 (SOA)\n • 低 RDS(on)\n • 与线性 FET 相比,IGSS 更低\n • 优化传输特性; | Infineon 英飞凌 | Infineon | |
TO-263 | 英飞凌/实单必成 | 英飞凌/实单必成 | ||
TO-263 | INFINEON | |||
原厂封装 | INFINEON |
技术参数
- IDpulsmax:
704 A
- QG(typ @10V):
165 nC
- RDS (on)(@10V) max:
2.1 mΩ
- VDSmax:
100 V
- VGS(th):
3.1 V
- Package:
D2PAK (TO-263)
- Operating Temperature:
-55 °C to 175 °C
- Polarity:
N
- Special Features:
Wide SOA
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon/英飞凌 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源! |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
TO-263 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
INFINOEN |
25+ |
TO-263 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
TO263-3 |
22+ |
6000 |
十年配单,只做原装 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
1326+ |
TO-263 |
2984 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
TO-263 |
11220 |
英飞凌优势原装IC,高效BOM配单。 |
询价 | ||
ADI |
23+ |
TO-263 |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
21+ |
TO-263 |
2984 |
原装现货,假一罚十 |
询价 | ||
ADI |
23+ |
TO-263 |
7000 |
询价 | |||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
TO263-3 |
93540 |
询价 |
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