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IPB021N10NM5LF2中文资料OptiMOS ™ 5 单 N 沟道线性场效应晶体管 2 100 V,2.1 mΩ,176 A,D²PAK 3 引脚封装数据手册Infineon规格书
IPB021N10NM5LF2规格书详情
描述 Description
OptiMOS ™ 5 Linear FET 2 技术实现了导通电阻和线性模式能力之间的最佳平衡。IPB021N10NM5LF2 与 D2PAK 3 引脚封装相结合,专为浪涌电流保护应用而设计,例如热插拔、电子保险丝和电池管理系统 (BMS) 中的电池保护。
特性 Features
• 宽安全操作区 (SOA)
• 低 RDS(on)
• 与线性 FET 相比,IGSS 更低
• 优化传输特性
应用 Application
• 电信基础设施
技术参数
- 制造商编号
:IPB021N10NM5LF2
- 生产厂家
:Infineon
- IDpulsmax
:704 A
- QG(typ @10V)
:165 nC
- RDS (on)(@10V) max
:2.1 mΩ
- VDSmax
:100 V
- VGS(th)
:3.1 V
- Package
:D2PAK (TO-263)
- Operating Temperature
:-55 °C to 175 °C
- Polarity
:N
- Special Features
:Wide SOA
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
NA/ |
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INF |
25+23+ |
TO-263 |
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INFINEON/英飞凌 |
24+ |
TO-263 |
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INFINEON/英飞凌 |
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TO-263 |
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INFINEON |
24+ |
D2PAK(TO-263) |
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Infineon |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 | |||
INF |
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TO263 |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
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Infineon/英飞凌 |
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原厂封装 |
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INFINEON |
1708+ |
TO-263 |
8500 |
只做原装进口,假一罚十 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
23+ |
TO263-3 |
6000 |
原装正品,支持实单 |
询价 |