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IPB020N10N5中文资料N 沟道功率 MOSFET数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IPB020N10N5

功能描述

N 沟道功率 MOSFET

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-23 22:59:00

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IPB020N10N5规格书详情

描述 Description

OptiMOS™ 5 100V 功率 MOSFETs 专为通信和服务器电源中的同步整流而设计。此外,这些器件还可以在其他工业应用中使用,例如太阳能、低压驱动器和适配器。新型 OptiMOS™ 5 100V MOSFET 采用七种不同封装,提供了行业内较低 R DS(on)。

特性 Features

• 针对同步整流进行优化
• 非常适合高开关频率
• 输出电容降低高达 44%
• 与前一代相比降低高达 43%

优势:
• 高系统效率
• 降低开关和通态损耗
• 减少并联
• 增加功率密度
• 低电压过冲

应用 Application

• 通信
• 服务器
• 太阳能
• 低压驱动器
• 轻型电动车
• 适配器

技术参数

  • 制造商编号

    :IPB020N10N5

  • 生产厂家

    :Infineon

  • OPN

    :IPB020N10N5ATMA1

  • Qualification

    :Non-Automotive

  • Package name

    :PG-TO263-3

  • VDS max

    :100 V

  • RDS (on) @10V max

    :2 mΩ

  • ID @25°C max

    :176 A

  • QG typ @10V

    :168 nC

  • Polarity

    :N

  • Operating Temperature min

    :-55 °C

  • Operating Temperature max

    :175 °C

  • Technology

    :OptiMOS™ 5

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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