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IMT4	文件：78.78 Kbytes Page：3 Pages	DUAL PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features • Epitaxial Planar Die Construction • Complementary NPN Type Available (IMX8) • Small Surface Mount Package • Lead Free/RoHS Compliant (Note 3) • Green Device, Note 4 and 5 文件：78.78 Kbytes 页数：3 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
IMT4	文件：54.45 Kbytes Page：1 Pages	丝印：T4；Package：SOT-26；General purpose (dual transistors) Features 1) Two 2SA1514K chips in an AMT package. 2) High breakdown voltage. 文件：54.45 Kbytes 页数：1 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
IMT4	文件：71.05 Kbytes Page：3 Pages	丝印：T4；Package：SOT-26；General purpose (dual transistors) Features 1) Two 2SA1514K chips in an AMT package. 2) High breakdown voltage. 文件：71.05 Kbytes 页数：3 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
IMT4	文件：59.39 Kbytes Page：3 Pages	丝印：T4；Package：SMT6；General purpose (dual transistors) Features 1) Two 2SA1514K chips in an AMT package. 2) High breakdown voltage. 文件：59.39 Kbytes 页数：3 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
IMT4	文件：455.11 Kbytes Page：4 Pages	DUAL PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR 文件：455.11 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
IMT40R011M2H	文件：1.25941 Mbytes Page：15 Pages	丝印：40R011M2；Package：PG-HSOF-8；CoolSiC™ 400V CoolSiC™ G2 MOSFET Features • Ideal for high frequency switching and synchronous rectification • Commutation robust fast body diode with low Qfr • Low RDS(on) dependency on temperature • Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.5 V • Recommended gate driving voltage 0 V to 18 V • .XT interconnection techn 文件：1.25941 Mbytes 页数：15 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IMT40R015M2H	文件：1.26491 Mbytes Page：15 Pages	丝印：40R015M2；Package：PG-HSOF-8；CoolSiC™ 400V CoolSiC™ G2 MOSFET Features • Ideal for high frequency switching and synchronous rectification • Commutation robust fast body diode with low Qfr • Low RDS(on) dependency on temperature • Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.5 V • Recommended gate driving voltage 0 V to 18 V • .XT interconnection techn 文件：1.26491 Mbytes 页数：15 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IMT40R015M2HXTMA1	文件：1.26491 Mbytes Page：15 Pages	CoolSiC™ 400V CoolSiC™ G2 MOSFET Features • Ideal for high frequency switching and synchronous rectification • Commutation robust fast body diode with low Qfr • Low RDS(on) dependency on temperature • Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.5 V • Recommended gate driving voltage 0 V to 18 V • .XT interconnection techn 文件：1.26491 Mbytes 页数：15 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IMT40R025M2H	文件：1.26278 Mbytes Page：15 Pages	丝印：40R025M2；Package：PG-HSOF-8；CoolSiC™ 400V CoolSiC™ G2 MOSFET Features • Ideal for high frequency switching and synchronous rectification • Commutation robust fast body diode with low Qfr • Low RDS(on) dependency on temperature • Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.5 V • Recommended gate driving voltage 0 V to 18 V • .XT interconnection techn 文件：1.26278 Mbytes 页数：15 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IMT40R036M2H	文件：1.26056 Mbytes Page：15 Pages	丝印：40R036M2；Package：PG-HSOF-8；CoolSiC™ 400V CoolSiC™ G2 MOSFET Features • Ideal for high frequency switching and synchronous rectification • Commutation robust fast body diode with low Qfr • Low RDS(on) dependency on temperature • Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.5 V • Recommended gate driving voltage 0 V to 18 V • .XT interconnection techn 文件：1.26056 Mbytes 页数：15 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON

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技术参数

Status：
新设计非推荐
封装：
SMT6
包装数量：
3000
最小独立包装数量：
3000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Grade：
Standard
Package Code：
SOT-457
JEITA Package：
SC-74
Package Size[mm]：
2.9x2.8 (t=1.1)
Number of terminal：
6
Polarity：
PNP+PNP
Collector-Emitter voltage VCEO1[V]：
-120.0
Collector current Io(Ic) [A]：
-0.05
Collector-Emitter voltage VCEO2[V]：
-120.0
Collector current(continuous) IC2[A]：
-0.05
hFE：
180 to
hFE (Min.)：
180
Mounting Style：
Surface mount
Equivalent (Single Part)：
2SA1514K / 2SA1514K
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	IMT4	ROHM	24+	SOT-163SOT-23-6	10030	新进库存/原装	询价
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更多IMT4供应商更新时间2026-4-20 16:30:00

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