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IMT40R036M2H
厂商型号

IMT40R036M2H

功能描述

CoolSiC™ 400V CoolSiC™ G2 MOSFET

丝印标识

40R036M2

封装外壳

PG-HSOF-8

文件大小

1.26056 Mbytes

页面数量

15

生产厂商 Infineon Technologies AG
企业简称

INFINEON英飞凌

中文名称

英飞凌科技股份公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-5-28 23:01:00

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IMT40R036M2H规格书详情

Features

• Ideal for high frequency switching and synchronous rectification

• Commutation robust fast body diode with low Qfr

• Low RDS(on) dependency on temperature

• Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.5 V

• Recommended gate driving voltage 0 V to 18 V

• .XT interconnection technology for best‑in‑class thermal performance

• 100% avalanche tested

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