丝印：40R045M2；Package：PG-HSOF-8；CoolSiC™ 400V CoolSiC™ G2 MOSFET

Features • Ideal for high frequency switching and synchronous rectification • Commutation robust fast body diode with low Qfr • Low RDS(on) dependency on temperature • Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.5 V • Recommended gate driving voltage 0 V to 18 V • .XT interconnection techn

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Infineon

英飞凌

General purpose (dual transistors)

Features 1) Two 2SA1514K chips in an AMT package. 2) High breakdown voltage.

文件：59.39 Kbytes 页数：3 Pages

ROHM

罗姆

DUAL PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR

文件：455.11 Kbytes 页数：4 Pages

DIODES

美台半导体

DUAL PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR

文件：455.11 Kbytes 页数：4 Pages

DIODES

美台半导体

CoolSiC ™ MOSFET 400 V G2，采用 TOLL（PG-HSOF-8）封装，25 mΩ

• 与 650 V SiC MOSFET 相比，FOM 更佳\n• 具有低 Qfr\n• 低 RDS(on) 温度依赖性\n• 栅极阈值电压，VGS(th) = 4.5 V\n• 支持单极驱动 (VGSoff=0)\n• 100% 雪崩测试\n• 开关速度可控性高\n• 高 dV/dt 操作期间过冲较低\n• .XT互连技术\n• 一流的热性能;

Infineon

英飞凌

CoolSiC ™ MOSFET 400 V G2，采用 TOLL（PG-HSOF-8）封装，36 mΩ

• 与 650 V SiC MOSFET 相比，FOM 更佳\n• 具有低 Qfr\n• 低 RDS(on) 温度依赖性\n• 栅极阈值电压，VGS(th) = 4.5 V\n• 支持单极驱动 (VGSoff=0)\n• 100% 雪崩测试\n• 开关速度可控性高\n• 高 dV/dt 操作期间过冲较低\n• .XT互连技术\n• 一流的热性能;

Infineon

英飞凌

CoolSiC ™ MOSFET 400 V G2，采用 TOLL（PG-HSOF-8）封装，45 mΩ

• 与 650 V SiC MOSFET 相比，FOM 更佳\n • 具有低 Qfr\n 的快速换向稳健二极管• 低 RDS(on) 温度依赖性\n • 栅极阈值电压，VGS(th) = 4.5 V\n • 支持单极驱动 (VGSoff=0)\n • 100% 雪崩测试\n • 开关速度可控性高\n • 高 dV/dt 操作期间过冲较低\n • .XT互连技术\n • 一流的热性能;

Infineon

英飞凌