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IMT40R015M2HXTMA1

CoolSiC™ 400V CoolSiC™ G2 MOSFET

Features • Ideal for high frequency switching and synchronous rectification • Commutation robust fast body diode with low Qfr • Low RDS(on) dependency on temperature • Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.5 V • Recommended gate driving voltage 0 V to 18 V • .XT interconnection techn

文件:1.26491 Mbytes 页数:15 Pages

Infineon

英飞凌

IMW120R030M1H

INFINEON
TO-247

Infineon

英飞凌

上传:深圳市恒佳微电子有限公司

IMW120R090M1H

INFINEON/英飞凌
TO-247

INFINEON/英飞凌

上传:深圳市恒佳微电子有限公司

INFINEON/英飞凌

IMX123LQT-C

SONY/索尼半导体

SONY/索尼半导体

上传:深圳市中联芯电子有限公司

SONY/索尼半导体

IMX123LQT-C视觉、图像传感器

SONY/索尼半导体

SONY/索尼半导体

上传:深圳市中联芯电子有限公司

SONY/索尼半导体

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DIODES/美台
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SOT163
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更多IMT40R015M2HXTMA1供应商 更新时间2025-10-6 15:16:00