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IKB01N120H2	文件：385.62 Kbytes Page：14 Pages	HighSpeed 2-Technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode 文件：385.62 Kbytes 页数：14 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
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详细参数

型号：
IKB01N120H2
功能描述：
IGBT 晶体管 HIGH SPEED 2 TECH 1200V 1A
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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