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IGB01N120H2分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
IGB01N120H2 |
| 参数属性 | IGB01N120H2 封装/外壳为TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 1200V 3.2A 28W TO263-3-2 |
| 功能描述 | HighSpeed 2-Technology |
| 封装外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 文件大小 |
1.18644 Mbytes |
| 页面数量 |
12 页 |
| 生产厂商 | Infineon Technologies AG |
| 企业简称 |
INFINEON【英飞凌】 |
| 中文名称 | 英飞凌科技股份公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-2 8:30:00 |
| 人工找货 | IGB01N120H2价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
IGB01N120H2规格书详情
IGB01N120H2属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由英飞凌科技股份公司制造生产的IGB01N120H2晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
产品属性
更多- 产品编号：
IGB01N120H2ATMA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.8V @ 15V，1A
- 开关能量：
140µJ
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
13ns/370ns
- 测试条件：
800V，1A，241 欧姆，15V
- 工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
- 供应商器件封装：
PG-TO263-3-2
- 描述：
IGBT 1200V 3.2A 28W TO263-3-2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
D2PAK(TO-263) |
91968 |
询价 | |||
Infineon Technologies |
2022+ |
PG-TO263-3-2 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
TO-263 |
1612 |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
SOT-263 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
21+ |
PG-TO263-3-2 |
1000 |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)! |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
NA/ |
3347 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
INFINEON |
23+ |
1A,1200V,不带D |
20000 |
全新原装假一赔十 |
询价 | ||
INFINEON |
1531+ |
SOT-263 |
1000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
TO-263 |
15000 |
英飞凌MOS管、IGBT大量有货 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
SOT-263 |
17535 |
原装进口假一罚十 |
询价 |
