| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
深圳市英科美电子有限公司9年
留言
|
INFINEON/英飞凌SOT-263 |
17535 |
2021+ |
原装进口假一罚十 |
|||
|
深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
|
INFINEOND2PAK(TO-263) |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
|||
|
深圳市浩睿泽电子科技有限公司2年
留言
|
英飞凌N/A |
1500 |
新批次 |
||||
|
深圳市特莱科技有限公司6年
留言
|
INFINEON/英飞凌TO-263 |
6380 |
21+23+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
|||
|
深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
|
Infineon(英飞凌)TO-263 |
1612 |
23+ |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
|||
|
深圳市星辰微电科技有限公司3年
留言
|
INFINEON/英飞凌TO-263 |
15000 |
22+ |
英飞凌MOS管、IGBT大量有货 |
|||
|
深圳和润天下电子科技有限公司5年
留言
|
INFINEON/英飞凌D2PAK(TO-263) |
91968 |
22+ |
||||
|
深圳市鑫宇杨电子科技有限公司8年
留言
|
INFTO-263 |
350000 |
2020+ |
100%进口原装正品公司现货库存 |
|||
|
深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
|
INF |
540 |
23+ |
原装现货,欢迎咨询 |
|||
|
深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
|
Infineon/英飞凌TO-263 |
9852 |
1937+ |
只做进口原装正品现货!或订货假一赔十! |
|||
|
深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
|
INFINEOND2PAK(TO-263) |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
|||
|
深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
|
INFINEON/英飞凌NA/ |
3347 |
23+ |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
|||
|
深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
|
Infineon(英飞凌)TO263 |
7350 |
23+ |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
|||
|
深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
|
INFINEON/英飞凌SOT-263 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
||||
|
深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
|
INFINEON-英飞凌TO-263-3 |
9328 |
24+25+/26+27+ |
|
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
||
|
深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
|
INFINEON-英飞凌TO-263-3 |
83500 |
24+25+/26+27+ |
|
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
||
|
深圳市振鑫微电子科技有限公司4年
留言
|
Infineon(英飞凌)N/A |
589610 |
23+ |
新到现货 原厂一手货源 价格秒杀代理! |
|||
|
易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
|
INFINEOND2PAK(TO-263) |
6000 |
23+ |
原装正品，支持实单 |
|||
|
深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
|
infineonTO-263 |
14000 |
23+ |
专业优势供应 |
|||
|
艾睿国际（香港）有限公司2年
留言
|
Infineon(英飞凌)PG-TO263-3 |
115000 |
2112+ |
1000个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货, |
IGB01N120H2采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IGB01N120H2图片
IGB01N120H2价格
IGB01N120H2价格：￥4.9445品牌：INF
生产厂家品牌为INF的IGB01N120H2多少钱，想知道IGB01N120H2价格是多少？参考价：￥4.9445。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IGB01N120H2批发价格及采购报价，IGB01N120H2销售排行榜及行情走势，IGB01N120H2报价。
IGB01N120H2中文资料Alldatasheet PDF
更多IGB01N120H2功能描述:IGBT 晶体管 HIGH SPEED 2 TECH 1200V 1A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IGB01N120H2_07制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:HighSpeed 2-Technology
IGB01N120H2ATMA1制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT PRODUCTS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT 1200V 1A 28W TO263-3-2
