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IKB01N120H2中文资料HighSpeed 2-Technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode数据手册Infineon规格书
技术参数
- 型号：
IKB01N120H2
- 功能描述：
IGBT 晶体管 HIGH SPEED 2 TECH 1200V 1A
- RoHS：
否
- 制造商：
Fairchild Semiconductor
- 配置：
集电极—发射极最大电压
- VCEO：
650 V
- 集电极—射极饱和电压：
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
- C的连续集电极电流：
150 A
- 栅极—射极漏泄电流：
400 nA
- 功率耗散：
187 W
- 封装/箱体：
TO-247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon/英飞凌 |
21+ |
PG-TO263-3-2 |
6820 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
INFINEON |
18+ |
TO-263 |
563 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
标准封装 |
7000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 | ||
Infineon |
23+ |
TO-263 |
1200 |
绝对全新原装!优势供货渠道!特价!请放心订购! |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
TO-247 |
9000 |
专业配单,原装正品假一罚十,代理渠道价格优 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
Infineon |
23+ |
TO-263 |
4100 |
原厂原装正品 |
询价 | ||
INFINEON |
24+ |
P-TO263-3-2 |
8866 |
询价 | |||
INFINEON |
24+ |
TO-220 |
4500 |
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718 |
询价 | ||
INF |
23+ |
65480 |
询价 |
