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IKB01N120H2数据手册Infineon中文资料规格书
技术参数
- 型号:
IKB01N120H2
- 功能描述:
IGBT 晶体管 HIGH SPEED 2 TECH 1200V 1A
- RoHS:
否
- 制造商:
Fairchild Semiconductor
- 配置:
集电极—发射极最大电压
- VCEO:
650 V
- 集电极—射极饱和电压:
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压:
20 V 在25
- C的连续集电极电流:
150 A
- 栅极—射极漏泄电流:
400 nA
- 功率耗散:
187 W
- 封装/箱体:
TO-247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
TO-263 |
3000 |
专营IR 英飞凌 支持含税 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
PG-TO263-3-2 |
30000 |
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询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
NA |
20094 |
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INFINEON |
23+ |
NA |
19960 |
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INFINEON |
1822+ |
TO-263 |
9852 |
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INFINEON/英飞凌 |
23+ |
TO-263 |
11220 |
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Infineon/英飞凌 |
22+ |
TO-220 |
25000 |
只做原装进口现货,专注配单 |
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Infineon/英飞凌 |
23+ |
PG-TO263-3-2 |
25630 |
原装正品 |
询价 | ||
INFINEON |
24+ |
TO-220 |
4500 |
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718 |
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INFINEON/英飞凌 |
22+ |
TO-247 |
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