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IGD01N120H2	文件：390.96 Kbytes Page：13 Pages	HighSpeed 2-Technology HighSpeed2-Technology •Designedfor: -SMPS -LampBallast -ZVS-Converter -optimisedforsoft-switching/resonanttopologies •2ndgenerationHighSpeed-Technologyfor1200Vapplicationsoffers: -lossreductioninresonantcircuits -temperaturestablebehavior	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IGD01N120H2	文件：912.52 Kbytes Page：13 Pages	HighSpeed 2-Technology HighSpeed2-Technology •Designedfor: -SMPS -LampBallast -ZVS-Converter -optimisedforsoft-switching/resonanttopologies •2ndgenerationHighSpeed-Technology for1200Vapplicationsoffers: -lossreductioninresonantcircuits -temperaturestablebehavior -parallelswitching	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IGD01N120H2BUMA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1200V 3.2A 28W TO252-3	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IGB01N120H2	文件：390.96 Kbytes Page：13 Pages	HighSpeed2-Technology HighSpeed2-Technology •Designedfor: -SMPS -LampBallast -ZVS-Converter -optimisedforsoft-switching/resonanttopologies •2ndgenerationHighSpeed-Technologyfor1200Vapplicationsoffers: -lossreductioninresonantcircuits -temperaturestablebehavior	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IGB01N120H2	文件：1.18644 Mbytes Page：12 Pages	HighSpeed2-Technology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IGP01N120H2	文件：912.52 Kbytes Page：13 Pages	HighSpeed2-Technology HighSpeed2-Technology •Designedfor: -SMPS -LampBallast -ZVS-Converter -optimisedforsoft-switching/resonanttopologies •2ndgenerationHighSpeed-Technology for1200Vapplicationsoffers: -lossreductioninresonantcircuits -temperaturestablebehavior -parallelswitching	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
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IKB01N120H2	文件：385.62 Kbytes Page：14 Pages	HighSpeed2-Technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmConHEdiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IKP01N120H2	文件：387.74 Kbytes Page：14 Pages	HighSpeed2-Technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmConHEdiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon

详细参数

型号：
IGD01N120H2
功能描述：
IGBT 晶体管 HIGH SPEED 2 TECH 1200A 1A
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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