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JCS10N60T	文件：1.05609 Mbytes Page：10 Pages	N-CHANNELMOSFET FEATURES Lowgatecharge LowCrss(typical20pF) Fastswitching 100avalanchetested Improveddv/dtcapability RoHSproduct APPLICATIONS Highefficiencyswitchmodepowersupplies Electroniclampballastsbasedonhalfbridge UPS	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.	JSMC
JMP10N60B	文件：297.708 Kbytes Page：8 Pages		JJWJieJie Microelectronics Co., Ltd. 捷捷微江苏捷捷微电子股份有限公司 PDF上传者：深圳市溢航科技有限公司	JJW
K10N60	文件：438.56 Kbytes Page：14 Pages	FastIGBTinNPT-technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmCondiode FastIGBTinNPT-technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmitterControlledDiode ●75lowerEoffcomparedtopreviousgenerationcombinedwithlowconductionlosses ●Shortcircuitwithstandtime–10μs ●Designedfor: -Motorcontrols -Inverter ●NPT-Technologyfor600Va	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
KF10N60F	文件：401.53 Kbytes Page：7 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforactivepowerfactorcorrectionandswitchingmodepowersupplies. FEATURES •VDSS=600V,ID	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
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KF10N60F	文件：83.22 Kbytes Page：7 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforactivepowerfactorcorrectionandswitchingmodepowersupplies. FEATURES •VDSS=600V,ID	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KF10N60FR	文件：83.24 Kbytes Page：7 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,fastreverserecoverytime,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforactivepowerfactorcorrectionandswitchingmodepowersupplies	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KF10N60P	文件：419.09 Kbytes Page：7 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KF10N60P	文件：83.22 Kbytes Page：7 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforactivepowerfactorcorrectionandswitchingmodepowersupplies. FEATURES •VDSS=600V,ID	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KF10N60P	文件：401.53 Kbytes Page：7 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforactivepowerfactorcorrectionandswitchingmodepowersupplies. FEATURES •VDSS=600V,ID	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KF10N60P	文件：1.10614 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET FEATURES •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •Reducedswitchingandconductionlosses •Ultralowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) APPLICATIONS •Serverandtelecompowersupplies •Switchmodepowersupplies(SMPS) •Powerfactorcorrection	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
KF10N60P/F	文件：401.53 Kbytes Page：7 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforactivepowerfactorcorrectionandswitchingmodepowersupplies. FEATURES •VDSS=600V,ID	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KF10N60PF	文件：401.53 Kbytes Page：7 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforactivepowerfactorcorrectionandswitchingmodepowersupplies. FEATURES •VDSS=600V,ID	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KF10N60PR	文件：83.24 Kbytes Page：7 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,fastreverserecoverytime,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforactivepowerfactorcorrectionandswitchingmodepowersupplies	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KSM10N60	文件：731.34 Kbytes Page：4 Pages	AdvancedhighcelldenitytrenchtechnologyforultraRDS	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSM10N60C	文件：2.11368 Mbytes Page：7 Pages	600VN-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMB10N60	文件：738.71 Kbytes Page：4 Pages	Greendeviceavailable.	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMF10N60	文件：678.62 Kbytes Page：4 Pages	Lowgatecharge.	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KX10N60F	文件：1.62338 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFET	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
MDF10N60B	文件：757.03 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET600V,10A,0.7(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP

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详细参数

型号：
IGB10N60T
功能描述：
IGBT 晶体管 Low Loss IGBT Trench Stop&Fieldstop Tech
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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