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IGB20N60H3	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 TO263 D2Pak 封装的 600 V、20 A IGBT3 High speed 600 V, 20 A single TRENCHSTOP™ IGBT3 in a TO263 D2Pak package provides the best compromise between switching and conduction losses. The key feature of this family is a MOSFET-like turn-off switching behavior, leading to low turn off losses. • Low switching losses for high efficiency\n• Excellent Vce(sat)behavior thanks to the famous Infineon TRENCHSTOP™ technology\n• Fast switching behavior with low EMI emissions\n• Optimized diode for target applications, meaning further improvement in switching losses\n• Low gate resistor selection p;	Infineon 英飞凌	Infineon
IGB20N60H3	文件：1.64204 Mbytes Page：14 Pages	600V high speed switching series third generation 文件：1.64204 Mbytes 页数：14 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IGP20N60H3	文件：2.11172 Mbytes Page：14 Pages	High speed switching series third generation High speed IGBT in Trench and Fieldstop technology Features: TRENCHSTOPTM technology offering • very low turn-off energy • low VCEsat • low EMI • maximum junction temperature 175°C • qualified according to JEDEC for target applications • Pb-free lead plating,halogen-free mould compound,RoH 文件：2.11172 Mbytes 页数：14 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IGW20N60H3	文件：2.00468 Mbytes Page：14 Pages	High speed IGBT in Trench and Fieldstop technology 文件：2.00468 Mbytes 页数：14 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IKB20N60H3	文件：1.83201 Mbytes Page：16 Pages	High speed IGBT in Trench and Fieldstop technology 文件：1.83201 Mbytes 页数：16 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON

技术参数

Product Status：
active and preferred
Green：
yes
Halogen-free：
yes
Switching Frequency min：
20 kHz
Switching Frequency max：
100 kHz
Technology：
IGBT HighSpeed 3
Voltage Class max：
600 V
IC @ 100° max：
20 A
VCE(sat)：
1.95 V
Qualification：
Industrial
Eon：
0.45 mJ
Eoff Hard Switching：
0.24 mJ
Driver Selection：
5546d4694909da48014909dc0f5e0238=IGBT
Type：
IGBT
Package name：
PG-TO263-3
td(on)：
16 ns
tr：
20 ns
td(off)：
194 ns
tf：
11 ns
QGate：
120 nC
IC @ 25° max：
40 A
ICpuls max：
80 A
tSC：
5 µs
Soft Switching：
no

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