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IGW60T120	文件：406.53 Kbytes Page：2 Pages	Fied Stop IGBT DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.8V@IC=75A ·HighCurrentCapability ·HighInputImpedance ·FastSwithching ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·SynchronousRectificationinSMPS ·AutomotiveChargers ·UPS,PFC ·Hig	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IGW60T120	文件：416.49 Kbytes Page：12 Pages	Low Loss IGBT in Trench and Fieldstop technology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IGW60T120	文件：351.06 Kbytes Page：12 Pages	Low Loss IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IGW60T120_09	文件：351.06 Kbytes Page：12 Pages	Low Loss IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IGW60T120FKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT TRENCH 1200V 100A TO247-3	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
60T120	文件：351.06 Kbytes Page：12 Pages	LowLossIGBTinTrenchStopandFieldstoptechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
FGHL60T120RWD	文件：379.32 Kbytes Page：9 Pages	IGBT–Power,Co-PAKN-Channel,FieldStopVII(FS7),SCR,TO247-3L1200V,1.5V,60A Description Usingthenovelfieldstop7thgenerationIGBTtechnologyandthe Gen7DiodeinTO2473−leadpackage,FGHL60T120RWDoffersthe optimumperformancewithlowconductionlossesandgoodswitching controllabilityforahighefficiencyoperationinvariousapplications likemotorcontr	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
FGY60T120SWD	文件：291.28 Kbytes Page：8 Pages	IGBT-Power,Co-PAKN-Channel,FieldStopVII(FS7),Non-SCR,TO247-3L1200V,1.7V,60A Description Usingthenovelfieldstop7thgenerationIGBTtechnologyandthe Gen7DiodeinTO2473−leadpackage,FGY60T120SWDoffersthe optimumperformancewithlowswitchingandconductionlossesfor high−efficiencyoperationsinvariousapplicationslikeSolar,UPS, andESS. Features •	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
G60T120	文件：351.06 Kbytes Page：12 Pages	LowLossIGBTinTrenchStopandFieldstoptechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司

详细参数

型号：
IGW60T120
功能描述：
IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT TECH 1200V 60A
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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