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IGCM15F60GA	文件：1.04903 Mbytes Page：16 Pages	Control Integrated POwer System	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IGCM15F60GA_15	文件：1.04903 Mbytes Page：16 Pages	Control Integrated POwer System	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IGCM15F60GA_16	文件：1.29089 Mbytes Page：17 Pages	Control Integrated POwer System	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IGCM15F60GAXKMA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：24-PowerDIP 模块（1.028"，26.10mm）类别：分立半导体产品功率驱动器模块描述：IGBT 600V 24MDIP	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
15F60C	文件：273.8 Kbytes Page：6 Pages	FASTRECOVERDIODE	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.
15F60HF	文件：273.8 Kbytes Page：6 Pages	FASTRECOVERDIODE	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.
15F60UC	文件：271.47 Kbytes Page：6 Pages	Snubberdiode	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.
15F60UHF	文件：271.47 Kbytes Page：6 Pages	Snubberdiode	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.
APT15F60B	文件：184.05 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelFREDFET	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
APT15F60S	文件：184.05 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelFREDFET	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
CUHS15F60	文件：249.89 Kbytes Page：5 Pages	SchottkyBarrierDiodeSiliconEpitaxial	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝
FSF15F60	文件：639.21 Kbytes Page：5 Pages	FastRecoveryDiode	KSSKyocera Kinseki Corpotation 近畿石油輸送株式会社
IGCM15F60HA	文件：1.02804 Mbytes Page：16 Pages	ControlIntegratedPOwerSystem	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IKCM15F60GA	文件：572.53 Kbytes Page：16 Pages	ControlIntegratedPOwerSystem	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IKCM15F60HA	文件：941.75 Kbytes Page：16 Pages	ControlIntegratedPOwerSystem	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司

详细参数

型号：
IGCM15F60GA
功能描述：
IGBT 模块 MINI DUAL-IN-LINE 15A/600V W/NTC 24PIN
RoHS：
否
制造商：
Infineon Technologies
产品：
IGBT Silicon Modules
配置：
Dual 集电极—发射极最大电压
VCEO：
600 V
集电极—射极饱和电压：
1.95 V 在25
C的连续集电极电流：
230 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
445 W
最大工作温度：
+ 125 C
封装/箱体：
34MM

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更多IGCM15F60GA供应商更新时间2024-4-26 14:26:00

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