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IGB10N60T	文件：787.17 Kbytes Page：12 Pages	Low Loss IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology Features: •VerylowVCE(sat)1.5V(typ.) •MaximumJunctionTemperature175°C •Shortcircuitwithstandtime5s •Designedforfrequencyinvertersforwashingmachines,fans,pumpsandvacuumcleaners •TRENCHSTOP™technologyfor600Vapplicationsoffers: -verytightparameterdistri	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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IGP10N60T	文件：316.02 Kbytes Page：12 Pages	LowLossIGBTinTrenchStopandFieldstoptechnology Features: •VerylowVCE(sat)1.5V(typ.) •MaximumJunctionTemperature175°C •Shortcircuitwithstandtime5μs •Designedfor: -VariableSpeedDriveforwashingmachinesandairconditioners -inductioncooking -UninterruptedPowerSupply •TRENCHSTOP™andFieldstoptechn	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IGP10N60T	文件：357.73 Kbytes Page：12 Pages	LowLossIGBTinTrenchStopandFieldstoptechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IGP10N60T	文件：444.67 Kbytes Page：12 Pages	LowLossIGBT:IGBTinTRENCHSTOP??andFieldstoptechnology Features: VerylowVCE(sat)1.5V(typ.) MaximumJunctionTemperature175°C Shortcircuitwithstandtime5s Designedfor: -VariableSpeedDriveforwashingmachinesandairconditioners -inductioncooking -UninterruptedPowerSupply TRENCHSTOP™andFieldstoptechnologyfor60	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IHD10N60RA	文件：829.54 Kbytes Page：12 Pages	ReverseconductingIGBTwithmonolithicbodydiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IKA10N60T	文件：368.11 Kbytes Page：13 Pages	IGBTinTrenchandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmConHEdiode LowLossDuoPack:IGBTinTrenchandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmConHEdiode •VerylowVCE(sat)1.5V(typ.) •MaximumJunctionTemperature175°C •Shortcircuitwithstandtime–5µs •Designedfor: -VariableSpeedDriveforwashingmachines,aircon	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IKA10N60T	文件：515.9 Kbytes Page：13 Pages	IGBTinTRENCHSTOPandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmitterControlledHEdiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IKB10N60T	文件：396.81 Kbytes Page：14 Pages	LowLossDuoPack:IGBTinTrenchandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmConHEdiode LowLossDuoPack:IGBTinTrenchandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmConHEdiode •VerylowVCE(sat)1.5V(typ.) •MaximumJunctionTemperature175°C •Shortcircuitwithstandtime–5µs •Designedfor: -VariableSpeedDriveforwashingmachines,airco	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

详细参数

型号：
IGB10N60T
功能描述：
IGBT 晶体管 Low Loss IGBT Trench Stop&Fieldstop Tech
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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