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IGB50N60T	文件：402.03 Kbytes Page：13 Pages	LOW LOSS IGBT IN TRENCH AND FIELDSTOP TECHNOLOGY Low Loss IGBT in Trench and Fieldstop technology • Very low VCE(sat) 1.5 V (typ.) • Maximum Junction Temperature 175 °C • Short circuit withstand time – 5µs • Designed for : - Frequency Converters - Uninterrupted Power Supply • Trench and Fieldstop technology for 600 V applications 文件：402.03 Kbytes 页数：13 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IGB50N60T	文件：467.71 Kbytes Page：12 Pages	Low Loss IGBT in TrenchStop technology 文件：467.71 Kbytes 页数：12 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IGB50N60T	文件：648.1 Kbytes Page：12 Pages	Low Loss IGBT : IGBT in TRENCHSTOP??and Fieldstop technology 文件：648.1 Kbytes 页数：12 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IGB50N60T_09	文件：467.71 Kbytes Page：12 Pages	Low Loss IGBT in TrenchStop technology 文件：467.71 Kbytes 页数：12 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IGB50N60T_15	文件：648.1 Kbytes Page：12 Pages	Low Loss IGBT : IGBT in TRENCHSTOP??and Fieldstop technology 文件：648.1 Kbytes 页数：12 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IGB50N60T	文件：300 bytes Page：1 Pages	600 V、50 A IGBT 分立器件，采用 TO263 封装 Infineon's 600 V, 50 A single TRENCHSTOP™ IGBT3 in a TO263 D2Pak package, leads to significant improvement of static as well as dynamic performance of the device, due to combination of trench-cell and fieldstop concept. The combination of IGBT with soft recovery emitter controlled diode further mini • Lowest VCEsatdrop for lower conduction losses\n• Low switching losses\n• Easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in VCEsat\n• Very soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled Diode\n• High ruggedness, temperature stable behavior\n• Low EMI emissions\n• L;	Infineon 英飞凌	Infineon
IGB50N60TATMA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT TRENCH 600V 100A TO263-3-2	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Product Status：
active and preferred
Green：
yes
Halogen-free：
yes
Switching Frequency min：
2 kHz
Switching Frequency max：
20 kHz
Technology：
IGBT TRENCHSTOP™
Voltage Class max：
600 V
IC @ 100° max：
90 A
VCE(sat)：
1.5 V
Qualification：
Industrial
Eon：
1.2 mJ
Eoff Hard Switching：
1.4 mJ
Driver Selection：
5546d4694909da48014909dc0f5e0238=IGBT
Type：
IGBT
Package name：
PG-TO263-3
td(on)：
26 ns
tr：
29 ns
td(off)：
299 ns
tf：
29 ns
QGate：
310 nC
IC @ 25° max：
64 A
ICpuls max：
150 A
tSC：
5 µs
Soft Switching：
no

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