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IGW08T120	文件：300 bytes Page：1 Pages	分立式IGBT; • Lowest VCEsatdrop for lower conduction losses\n• Low switching losses\n• Easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in VCEsat\n• Very soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled HE diode\n• High ruggedness, temperature stable behavior\n• Low EMI emissions\n• Low gate charge\n• Very tight parameter distribution\n\n优势:\n• Highest efficiency – low conduction and switching losses\n• Comprehensive portfolio in 600 V and 1200 V for flexibility of design\n• High device reliability\n; The 1200 V, 8 A single TRENCHSTOP™ IGBT3 in a TO-247 package, provides significant improvement of static as well as dynamic performance of the device, due to combination of trench-cell and fieldstop concept. The combination of IGBT with soft recovery emitter controlled diode further minimizes the turn-on losses. The highest efficiency is reached due to the best compromise between switching and conduction losses.\n	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IGW08T120	文件：302.25 Kbytes Page：12 Pages	Low Loss IGBT in Trench and Fieldstop technology [Infineon] LowLossIGBTinTrenchandFieldstoptechnology •Approx.1.0VreducedVCE(sat)comparedtoBUP305D •Shortcircuitwithstandtime–10µs •Designedfor: -FrequencyConverters -UninterruptedPowerSupply •TrenchandFieldstoptechnologyfor1200Vapplicationsoffers:	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
IGW08T120	文件：352.99 Kbytes Page：12 Pages	Low Loss IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology LowLossIGBTinTrenchStop®andFieldstoptechnology •Shortcircuitwithstandtime–10µs •Designedfor: -FrequencyConverters -UninterruptedPowerSupply •TrenchStop®andFieldstoptechnologyfor1200Vapplications offers: -verytightparameterdistribution -high	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IGW08T120FKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1200V 16A 70W TO247-3	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IKW08T120	文件：516.07 Kbytes Page：16 Pages	IGBTinTrenchStop짰andFieldstoptechnologywithsoft,	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IKW08T120	文件：372.55 Kbytes Page：16 Pages	LowLossDuoPack:IGBTinTrenchStop짰andFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmConHEdiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IKW08T120	文件：343.79 Kbytes Page：15 Pages	LOWLOSSDUOPACK-IGBTINTRENCHANDFIELDSTOPTECHNOLOGYWITHSOFT,FASTRECOVERYANTI-PARALLELEMCONHEDIODE •Approx.1.0VreducedVCE(sat)and0.5VreducedVFcomparedtoBUP305D •Shortcircuitwithstandtime–10µs •Designedfor: -FrequencyConverters -UninterruptedPowerSupply •TrenchStop®andFieldstoptechnologyfor1200Vapplicationsoffers: -verytightparamet	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
K08T120	文件：516.07 Kbytes Page：16 Pages	IGBTinTrenchStop짰andFieldstoptechnologywithsoft,	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

技术参数

Product Status：
active and preferred
Green：
yes
Halogen-free：
undefined
Switching Frequency min：
2 kHz
Switching Frequency max：
20 kHz
Technology：
IGBT TRENCHSTOP™
Voltage Class max：
1200 V
IC @ 100° max：
8 A
VCE(sat)：
2.2 V
Qualification：
Industrial
Eon：
1.08 mJ
Eoff Hard Switching：
1.2 mJ
IF max：
16 A
Driver Selection：
5546d4694909da48014909dc0f5e0238=IGBT
Type：
IGBT
Package name：
PG-TO247-3
td(on)：
40 ns
tr：
26 ns
td(off)：
570 ns
tf：
140 ns
QGate：
53 nC
IC @ 25° max：
16 A
ICpuls max：
24 A
tSC：
10 µs
Soft Switching：
no

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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