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IGW40T120	文件：356.88 Kbytes Page：13 Pages	Low Loss IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology	InfineonInfineon Technologies 英飞凌英飞凌科技公司
IGW40T120	文件：419.25 Kbytes Page：12 Pages	Low Loss IGBT in Trench and Fieldstop technology	InfineonInfineon Technologies 英飞凌英飞凌科技公司
IGW40T120_09	文件：356.88 Kbytes Page：13 Pages	Low Loss IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology	InfineonInfineon Technologies 英飞凌英飞凌科技公司
IGW40T120FKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1200V 75A TO247-3	InfineonInfineon Technologies 英飞凌英飞凌科技公司
FGH40T120SMD	文件：525 Kbytes Page：10 Pages	IGBT - Field Stop, Trench 1200 V, 40 A	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
H40T120	文件：360 Kbytes Page：14 Pages	Soft Switching Series •Shortcircuitwithstandtime–10µs •Designedfor: -SoftSwitchingApplications -InductionHeating •TrenchStop® andFieldstoptechnologyfor1200Vapplications offers: -verytightparameterdistribution -highruggedness,temperaturestablebehavior -easyparallelswitching	InfineonInfineon Technologies 英飞凌英飞凌科技公司
IHW40T120	文件：360.16 Kbytes Page：14 Pages	Soft Switching Series •Shortcircuitwithstandtime–10µs •Designedfor: -SoftSwitchingApplications -InductionHeating •TrenchStop® andFieldstoptechnologyfor1200Vapplications offers: -verytightparameterdistribution -highruggedness,temperaturestablebehavior -easyparallelswitchi	InfineonInfineon Technologies 英飞凌英飞凌科技公司
IHW40T120	文件：354 Kbytes Page：14 Pages	IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode	InfineonInfineon Technologies 英飞凌英飞凌科技公司
IKW40T120	文件：516.59 Kbytes Page：16 Pages	IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled HE diode	InfineonInfineon Technologies 英飞凌英飞凌科技公司
IKW40T120	文件：450 Kbytes Page：15 Pages	LOW LOSS DUOPACK : IGBT IN TRENCH AND FIELDSTOP TECHNOLOGY WITH SOFT, FAST RECOVERY ANTI-PARAALEL EMCON HE DIODE	InfineonInfineon Technologies 英飞凌英飞凌科技公司
M40T120A	文件：239 Kbytes Page：5 Pages	TRIACs, 40A Sunbberless	NELLSEMI Nell Semiconductor Co., Ltd
M40T120A	文件：787.5 Kbytes Page：6 Pages	TRIACs	NELLSEMI Nell Semiconductor Co., Ltd
M40T120A-B	文件：787.5 Kbytes Page：6 Pages	TRIACs	NELLSEMI Nell Semiconductor Co., Ltd
MBQ40T120FES	文件：1.317 Mbytes Page：8 Pages	High speed FieldStop Trench IGBT	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.

产品属性

型号：
IGW40T120
功能描述：
IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT TECH 1200V 40A
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市珑泽芯呈科技有限公司	IGW40T120	Infineon/英飞凌	21+	PG-TO247-3	10000	全新原装现货	询价
深圳市赛能新源半导体有限公司	IGW40T120	INFINEON	21+	TO-247	60000	原装正品进口现货	询价
深圳中科芯电子集团有限公司	IGW40T120	Infineon/英飞凌	21+	PG-TO247-3	10000	全新原装现货	询价
深圳市芯科锐电子科技有限公司	IGW40T120	Infineon/英飞凌	21+	PG-TO247-3	10000	全新原装现货	询价
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深圳市杰诚芯电子有限公司	IGW40T120	Infineon(英飞凌)	2021/2022+	标准封装	7000	原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品	询价
深圳市晶纳芯电子有限公司	IGW40T120	Infineon/英飞凌		PG-TO247-3	6000		询价
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更多IGW40T120供应商更新时间2023-3-21 15:02:00

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