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IGW75N60H3	文件：1.59173 Mbytes Page：14 Pages	丝印：G75H603；Package：PG-TO247-3；High speed switching series third generation Features: TRENCHSTOP™ technology offering • very low VCEsat • low EMI • maximum junction temperature 175°C • qualified according to JEDEC for target applications • Pb-free lead plating, halogen-free mould compound, RoHS compliant • complete product spectrum and PSpice Models: http://www.i 文件：1.59173 Mbytes 页数：14 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IGW75N60H3	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 TO-247 封装的 600 V IGBT 分立器件 High speed 600 V, 75 A single TRENCHSTOP™ IGBT3 in a TO247 package provides the best compromise between switching and conduction losses. The key feature of this family is a MOSFET-like turn-off switching behavior, leading to low turn off losses. • Low switching losses for high efficiency\n• Excellent Vce(sat)behavior thanks to the famous Infineon TRENCHSTOP™ technology\n• Fast switching behavior with low EMI emissions\n• Optimized diode for target applications, meaning further improvement in switching losses\n• Low gate resistor selection p;	Infineon 英飞凌	Infineon
IGW75N60H3FKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT TRENCH/FS 600V 140A TO247-3	Infineon 英飞凌	Infineon
IKW75N60H3	文件：1.67733 Mbytes Page：16 Pages	600V hibh speed switching series third generation 文件：1.67733 Mbytes 页数：16 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Product Status：
active and preferred
Green：
yes
Halogen-free：
undefined
Switching Frequency min：
20 kHz
Switching Frequency max：
100 kHz
Technology：
IGBT HighSpeed 3
Voltage Class max：
600 V
IC @ 100° max：
75 A
VCE(sat)：
1.85 V
Qualification：
Industrial
Eon：
3 mJ
Eoff Hard Switching：
1.7 mJ
Driver Selection：
5546d4694909da48014909dc0f5e0238=IGBT
Type：
IGBT
Package name：
PG-TO247-3
td(on)：
31 ns
tr：
60 ns
td(off)：
265 ns
tf：
27 ns
QGate：
470 nC
IC @ 25° max：
140 A
ICpuls max：
225 A
tSC：
5 µs
Soft Switching：
no

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