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IDH10G65C5ZXKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：TO-220-2 类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220-2	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IDH10G65C5ZXKSA2	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220-2	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
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IDW10G65C5	文件：1.1747 Mbytes Page：11 Pages	5thGenerationthinQ!TM650VSiCSchottkyDiode 1Description Features Revolutionarysemiconductormaterial-SiliconCarbide Benchmarkswitchingbehavior Noreverserecovery/Noforwardrecovery Temperatureindependentswitchingbehavior Highsurgecurrentcapability Pb-freeleadplating;RoHScompliant Qualifiedaccordin	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
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产品属性

产品编号：
IDH10G65C5ZXKSA1
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
系列：
CoolSiC™+
包装：
散装
二极管类型：
碳化硅肖特基
电流 - 平均整流 (Io)：
10A
速度：
无恢复时间 > 500mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
300pF @ 1V，1MHz
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-2
供应商器件封装：
PG-TO220-2
工作温度 - 结：
-55°C ~ 175°C
描述：
DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220-2

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