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IDW10G65C5分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF中文资料
厂商型号 |
IDW10G65C5 |
参数属性 | IDW10G65C5 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO247-3 |
功能描述 | 650V SiC thinQ!??Generation 5 diodes |
封装外壳 | TO-247-3 |
文件大小 |
417.84 Kbytes |
页面数量 |
2 页 |
生产厂商 | Infineon Technologies AG |
企业简称 |
INFINEON【英飞凌】 |
中文名称 | 英飞凌科技股份公司官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-3 14:06:00 |
人工找货 | IDW10G65C5价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
IDW10G65C5规格书详情
IDW10G65C5属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由英飞凌科技股份公司制造生产的IDW10G65C5二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动,并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管(包括齐纳二极管和可变电容二极管)单独列在各自的产品系列中,每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。
特性 Features
■ V₂ at 650V
Improved Figure of Merit (Q x V)
■ No reverse recovery charge
■ Soft switching reverse
recovery waveform
■ Temperature independent
switching behavior
High operating temperature
(₁175°C)
■ Improved surge capability
■ Pb-free lead plating
☐10 years manufacturing of SIC diodes
Benefits
■ Higher safety margin against
Overvoltage; best match with
CoolMOS™ 650V products
Improved efficiency over all
load conditions
■ Increased efficiency compared to
Silicon Diode alternatives
■ Reduced EMI compared to snappier
Silicon diode reverse recovery
waveform
Highly stable switching performance
Reduced cooling requirements
■ Reduced risks of thermal runaway
■ RoHS compliant
High quality know-how and capacity
in SiC diode manufacture
产品属性
更多- 产品编号:
IDW10G65C5XKSA1
- 制造商:
Infineon Technologies
- 类别:
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
- 系列:
CoolSiC™+
- 包装:
管件
- 二极管类型:
碳化硅肖特基
- 电流 - 平均整流 (Io):
10A
- 速度:
无恢复时间 > 500mA(Io)
- 不同 Vr、F 时电容:
300pF @ 1V,1MHz
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-247-3
- 供应商器件封装:
PG-TO247-3
- 工作温度 - 结:
-55°C ~ 175°C
- 描述:
DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO247-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
1306+ |
TO-247 |
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Infineon/英飞凌 |
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PG-TO247-3 |
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INFINEON |
24+ |
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