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IDH12SG60C

SiC Schottky Diode

FEATURES · No Reverse Recovery/ No Forward Recovery · High Surge Current Capability · Temperature Independent Switching Behavior APPLICATIONS · Solar Inverter · Power Factor Correction · Motor Drives · Uninterruptible Power Supplies

文件:388.78 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

IDH12SG60C

3rd Generation thinQ!TM SiC Schottky Diode

文件:235.12 Kbytes 页数:7 Pages

INFINEON

英飞凌

IDH12SG60C

3rd Generation thinQ!TM SiC Schottky Diode

文件:609.97 Kbytes 页数:7 Pages

INFINEON

英飞凌

IDH12SG60C_13

3rd Generation thinQ!TM SiC Schottky Diode

文件:609.97 Kbytes 页数:7 Pages

INFINEON

英飞凌

IDH12SG60C

CoolSiC™ 肖特基二极管

英飞凌 CoolSiC™ 肖特基二极管 600V G3 在任意指定额定电流下均具有行业极低器件电容,进一步增强整个系统效率,特别是较高开关频率和低负载工况。第 3 代产品与代 2 代产品基于相同技术平台,在封装级别引进所谓的扩散焊接。 • 基准开关行为\n• 无反向恢复电荷\n• 与温度无关的开关行为\n• 高工作温度 (T j max 175°C)\n\n优势:\n• 与硅二极管相比,系统效率更高\n• 降低冷却要求\n• 支持更高频率/功率密度\n• 工作温度更低,提高系统稳定性\n• 降低电磁干扰\n ;

Infineon

英飞凌

IDH12SG60CXKSA1

Package:TO-220-2;包装:管件 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:DIODE SCHOTTKY 600V 12A TO220-2

INFINEON

英飞凌

IDH12SG60CXKSA2

Package:TO-220-2;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:DIODE SCHOTTKY 600V 12A TO220-2

INFINEON

英飞凌

技术参数

  • Product Status:

    active

  • Technology:

    CoolSiC™ G3

  • Qualification:

    Industrial

  • VDC min:

    600 V

  • IF max:

    12 A

  • VF:

    1.8 V

  • QC:

    19 nC

  • Package:

    TO-220 real 2pin

  • I(FSM) max:

    59 A

  • IR:

    1 µA

  • CT:

    310 pF

  • Ptot max:

    125 W

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Infineon(英飞凌)
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更多IDH12SG60C供应商 更新时间2026-1-26 23:00:00