丝印：D8512C5；Package：PG-TO263-2；5th Generation CoolSiCTM 1200V Schottky Diode

Features  Revolutionary semiconductor material - Silicon Carbide  No reverse recovery current / no forward recovery  Temperature independent switching behaviour  Low forward voltage even at high operating temperature  Tight forward voltage distribution  Excellent thermal performance 

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采用 D²PAK 真 2 引脚封装的 1200 V 碳化硅肖特基二极管

第五代 CoolSiC ™肖特基二极管 1200 V、8 A 现采用 D2PAK 实 2 引脚封装。将 SiC 二极管并联并采用小型器件封装，可以实现高效系统，同时最大限度地减少电路板空间需求。消除中间引脚可降低高压和高频操作下局部放电的风险。 • 零 Qrr \n • 无反向恢复损耗\n • 高浪涌电流能力\n • 紧密的正向电压分布\n • 与温度无关。开关行为\n • 低正向电压*\n • *即使在高工作温度下\n • 真正的两引脚封装\n • 4.7 mm爬电距离\n • 4.4毫米间隙距离;

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Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装：管件 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述：SIC DISCRETE

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Silicon Carbide Schottky Diode

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