650V SiC thinQ!??Generation 5 diodes

Features ■ V₂ at 650V Improved Figure of Merit (Q x V) ■ No reverse recovery charge ■ Soft switching reverse recovery waveform ■ Temperature independent switching behavior High operating temperature (₁175°C) ■ Improved surge capability ■ Pb-free lead plating ☐10 years manufacturing of

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采用 real2pin 封装的 650 V 碳化硅肖特基二极管

采用 DPAK real2pin 封装的 CoolSiC ™肖特基二极管第 5 代 650 V、2 A 代表了我们在 SiC 肖特基势垒二极管方面的领先技术。英飞凌专有的扩散焊接工艺已在 G3 中推出，现与新的、更紧凑的设计和薄晶圆技术相结合。结果是，新系列产品在所有负载条件下都表现出更高的效率，这得益于改进的热特性和更低的品质因数 (Q c x V f)。 • 提高品质因数 (Q c x V f)\n• 软开关反向恢复波形\n• 高工作温度 (T j 最高 175°C)\n• 无铅镀铅;

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ThinQ!??Generation 5 represents Infineon leading edge technology for the SiC Schottky Barrier diodes.

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Package：TO-220-2；包装：管件 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述：DIODE SCHOTKY 650V 10A TO220-2-1

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Package：TO-220-2；包装：散装 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述：DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220-2

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包装：散装 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述：DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220-2

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