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HUF76409D3	文件：206.32 Kbytes Page：10 Pages	17A, 60V, 0.071 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET Features • Ultra Low On-Resistance - rDS(ON) = 0.063Ω, VGS = 10V - rDS(ON) = 0.071Ω, VGS = 5V • Simulation Models - Temperature Compensated PSPICE® and SABER™ Electrical Models - Spice and SABER Thermal Impedance Models - www.fairchildsemi.com • Peak Current vs Pulse Wi 文件：206.32 Kbytes 页数：10 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
HUF76409D3	文件：335.37 Kbytes Page：9 Pages	17A, 60V, 0.071 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET Features • Ultra Low On-Resistance - rDS(ON) = 0.063Ω, VGS = 10V - rDS(ON) = 0.071Ω, VGS = 5V • Simulation Models - Temperature Compensated PSPICE® and SABER© Electrical Models - Spice and SABER© Thermal Impedance Models - www.Intersil.com • Peak Current vs Pulse Width 文件：335.37 Kbytes 页数：9 Pages	INTERSIL	INTERSIL
HUF76409D3	文件：300 bytes Page：1 Pages	17A, 60V, 0.071 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
HUF76409D3S	文件：206.32 Kbytes Page：10 Pages	17A, 60V, 0.071 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET Features • Ultra Low On-Resistance - rDS(ON) = 0.063Ω, VGS = 10V - rDS(ON) = 0.071Ω, VGS = 5V • Simulation Models - Temperature Compensated PSPICE® and SABER™ Electrical Models - Spice and SABER Thermal Impedance Models - www.fairchildsemi.com • Peak Current vs Pulse Wi 文件：206.32 Kbytes 页数：10 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
HUF76409D3S	文件：335.37 Kbytes Page：9 Pages	17A, 60V, 0.071 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET Features • Ultra Low On-Resistance - rDS(ON) = 0.063Ω, VGS = 10V - rDS(ON) = 0.071Ω, VGS = 5V • Simulation Models - Temperature Compensated PSPICE® and SABER© Electrical Models - Spice and SABER© Thermal Impedance Models - www.Intersil.com • Peak Current vs Pulse Width 文件：335.37 Kbytes 页数：9 Pages	INTERSIL	INTERSIL
HUF76409D3ST	文件：905.29 Kbytes Page：4 Pages	N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features  VDS= 60V, ID= 30A RDS(ON) 文件：905.29 Kbytes 页数：4 Pages	BYCHIP 百域芯	BYCHIP

详细参数

型号：
HUF76409D3
功能描述：
MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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