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HUF76419D3ST	文件：203.23 Kbytes Page：10 Pages	20A, 60V, 0.043 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET짰 Power MOSFET Features •UltraLowOn-Resistance -rDS(ON)=0.037Ω,VGS=10V -rDS(ON)=0.043Ω,VGS=5V •SimulationModels -TemperatureCompensatedPSPICE®andSABER™ElectricalModels -SpiceandSABERThermalImpedanceModels -www.fairchildsemi.com •PeakCurrentvsPulseWi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
HUF76419D3STR4921	文件：905.17 Kbytes Page：4 Pages	N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features VDS=60V,ID=30A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
HUFA76419D3	文件：197.85 Kbytes Page：10 Pages	20A,60V,0.043Ohm,N-Channel,LogicLevelUltraFETPowerMOSFETs Features •UltraLowOn-Resistance -rDS(ON)=0.037Ω,VGS=10V -rDS(ON)=0.043Ω,VGS=5V •SimulationModels -TemperatureCompensatedPSPICE®andSABER™ElectricalModels -SpiceandSABERThermalImpedanceModels -www.fairchildsemi.com •PeakCurrentvsPulseWi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
HUFA76419D3S	文件：197.85 Kbytes Page：10 Pages	20A,60V,0.043Ohm,N-Channel,LogicLevelUltraFETPowerMOSFETs Features •UltraLowOn-Resistance -rDS(ON)=0.037Ω,VGS=10V -rDS(ON)=0.043Ω,VGS=5V •SimulationModels -TemperatureCompensatedPSPICE®andSABER™ElectricalModels -SpiceandSABERThermalImpedanceModels -www.fairchildsemi.com •PeakCurrentvsPulseWi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
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详细参数

型号：
HUF76419D3ST
功能描述：
MOSFET 20a 60V 0.043 Ohm Logic Level N-Ch
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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