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HUF76419D3ST	文件：203.23 Kbytes Page：10 Pages	20A, 60V, 0.043 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET짰 Power MOSFET Features • Ultra Low On-Resistance - rDS(ON) = 0.037Ω, VGS = 10V - rDS(ON) = 0.043Ω, VGS = 5V • Simulation Models - Temperature Compensated PSPICE® and SABER™ Electrical Models - Spice and SABER Thermal Impedance Models - www.fairchildsemi.com • Peak Current vs Pulse Wi 文件：203.23 Kbytes 页数：10 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
HUF76419D3STR4921	文件：905.17 Kbytes Page：4 Pages	N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features  VDS= 60V, ID= 30A RDS(ON) 文件：905.17 Kbytes 页数：4 Pages	Bychip 百域芯	Bychip
HUFA76419D3	文件：197.85 Kbytes Page：10 Pages	20A, 60V, 0.043 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs Features • Ultra Low On-Resistance - rDS(ON) = 0.037Ω, VGS = 10V - rDS(ON) = 0.043Ω, VGS = 5V • Simulation Models - Temperature Compensated PSPICE® and SABER™ Electrical Models - Spice and SABER Thermal Impedance Models - www.fairchildsemi.com • Peak Current vs Pulse Wi 文件：197.85 Kbytes 页数：10 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
HUFA76419D3S	文件：197.85 Kbytes Page：10 Pages	20A, 60V, 0.043 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs Features • Ultra Low On-Resistance - rDS(ON) = 0.037Ω, VGS = 10V - rDS(ON) = 0.043Ω, VGS = 5V • Simulation Models - Temperature Compensated PSPICE® and SABER™ Electrical Models - Spice and SABER Thermal Impedance Models - www.fairchildsemi.com • Peak Current vs Pulse Wi 文件：197.85 Kbytes 页数：10 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
HUFA76419D3S	文件：763.3 Kbytes Page：4 Pages	N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features  VDS= 60V, ID= 30A RDS(ON) 文件：763.3 Kbytes 页数：4 Pages	Bychip 百域芯	Bychip

详细参数

型号：
HUF76419D3ST
功能描述：
MOSFET 20a 60V 0.043 Ohm Logic Level N-Ch
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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