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HUFA75321D3	文件：226.21 Kbytes Page：10 Pages	20A, 55V, 0.036 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs TheseN-ChannelpowerMOSFETsaremanufacturedusingtheinnovativeUltraFET®process.Thisadvancedprocesstechnologyachievesthelowestpossibleon-resistancepersiliconarea,resultinginoutstandingperformance.Thisdeviceiscapableofwithstandinghighenergyintheavalanchemodeandth	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
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HUF75321D3S	文件：129.52 Kbytes Page：9 Pages	20A,55V,0.036Ohm,N-ChannelUltraFETPowerMOSFETs TheseN-ChannelpowerMOSFETsaremanufacturedusingtheinnovativeUltraFET™process.Thisadvancedprocesstechnologyachievesthelowestpossibleon-resistancepersiliconarea,resultinginoutstandingperformance.Thisdeviceiscapableofwithstandinghighenergyintheavalanchemodeandth	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
HUF75321D3ST	文件：836.45 Kbytes Page：10 Pages	20A,55V,0.036Ohm,N-ChannelUltraFETPowerMOSFETs TheseN-ChannelpowerMOSFETsaremanufacturedusingtheinnovativeUltraFET®process.Thisadvancedprocesstechnologyachievesthelowestpossibleon-resistancepersiliconarea,resultinginoutstandingperformance.Thisdeviceiscapableofwithstandinghighenergyintheavalanchemodeandth	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
HUF75321D3ST	文件：988.87 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

详细参数

型号：
HUFA75321D3
功能描述：
MOSFET 20a 55V N-Channel UltraFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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