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HUF76429S3S	文件：207.73 Kbytes Page：10 Pages	44A, 60V, 0.025 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET Features • Ultra Low On-Resistance - rDS(ON) = 0.022Ω, VGS = 10V - rDS(ON) = 0.025Ω, VGS = 5V • Simulation Models - Temperature Compensated PSPICE® and SABER™ Electrical Models - Spice and SABER Thermal Impedance Models - www.fairchildsemi.com • Peak Current vs Pulse Wi 文件：207.73 Kbytes 页数：10 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
HUF76429S3S	文件：332.62 Kbytes Page：9 Pages	44A, 60V, 0.025 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET Features • Ultra Low On-Resistance - rDS(ON) = 0.022Ω, VGS = 10V - rDS(ON) = 0.025Ω, VGS = 5V • Simulation Models - Temperature Compensated PSPICE® and SABER© Electrical Models - Spice and SABER Thermal Impedance Models - www.semi.Intersil.com • Peak Current vs Pulse Wi 文件：332.62 Kbytes 页数：9 Pages	Intersil	Intersil
HUF76429S3S	文件：300 bytes Page：1 Pages	N 沟道，逻辑电平，UltraFET 功率 MOSFET，60V，44A，25mΩ N-Channel Logic Level UltraFET Power MOSFET 60 V, 44 A, 25 mΩ •超低导通电阻\n•峰值电流与脉宽曲线\n•仿真模型\n•UIS 额定值曲线\n•开关时间与RGS曲线;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
HUFA76429S3S	文件：208.04 Kbytes Page：10 Pages	44A, 60V, 0.025 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs 文件：208.04 Kbytes 页数：10 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
60
VGS Max (V)：
16
VGS(th) Max (V)：
4
ID Max (A)：
44
PD Max (W)：
110
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
27
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
22
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
21
Ciss Typ (pF)：
1480
Package Type：
D2PAK-3/TO-263-2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多HUF76429S3S供应商更新时间2025-10-13 14:07:00

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