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HUF76407DK8T	文件：262.44 Kbytes Page：12 Pages	3.5A, 60V, 0.105 Ohm, Dual N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET Features • Ultra Low On-Resistance - rDS(ON) = 0.090Ω, VGS = 10V - rDS(ON) = 0.105Ω, VGS = 5V • Simulation Models - Temperature Compensated PSPICE® and SABER™ Electrical Models - SPICE and SABER Thermal Impedance Models - www.fairchildsemi.com • Peak Current vs Pulse Wi 文件：262.44 Kbytes 页数：12 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
HUF76407DK8T	文件：300 bytes Page：1 Pages	3.5A, 60V, 0.105 Ohm, Dual N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
HUFA76407DK8	文件：263.15 Kbytes Page：12 Pages	3.5A, 60V, 0.105 Ohm, Dual N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET Features • Ultra Low On-Resistance - rDS(ON) = 0.090Ω, VGS = 10V - rDS(ON) = 0.105Ω, VGS = 5V • Simulation Models - Temperature Compensated PSPICE® and SABER™ Electrical Models - SPICE and SABER Thermal Impedance Models - www.fairchildsemi.com • Peak Current vs Pulse Wi 文件：263.15 Kbytes 页数：12 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
HUFA76407DK8T	文件：263.15 Kbytes Page：12 Pages	3.5A, 60V, 0.105 Ohm, Dual N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET Features • Ultra Low On-Resistance - rDS(ON) = 0.090Ω, VGS = 10V - rDS(ON) = 0.105Ω, VGS = 5V • Simulation Models - Temperature Compensated PSPICE® and SABER™ Electrical Models - SPICE and SABER Thermal Impedance Models - www.fairchildsemi.com • Peak Current vs Pulse Wi 文件：263.15 Kbytes 页数：12 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

详细参数

型号：
HUF76407DK8T
功能描述：
MOSFET SO-8
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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