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HUF76107D3S	文件：284.05 Kbytes Page：11 Pages	20A, 30V, 0.052 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs These N-Channel power MOSFETs are manufactured using the innovative UltraFET™ process. This advanced process technology achieves the lowest possible on-resistance per silicon area, resulting in outstanding performance. This device is capable of withstanding high energy in the avalanche mode and t 文件：284.05 Kbytes 页数：11 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
HUF76107D3S	文件：109.39 Kbytes Page：10 Pages	20A, 30V, 0.052 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs These N-Channel power MOSFETs are manufactured using the innovative UltraFET™ process. This advanced process technology achieves the lowest possible on-resistance per silicon area, resulting in outstanding performance. This device is capable of withstanding high energy in the avalanche mode and t 文件：109.39 Kbytes 页数：10 Pages	INTERSIL	INTERSIL
HUF76107D3ST	文件：873.88 Kbytes Page：4 Pages	N-channel Advanced Mode Power MOSFET Features  VDS= 40V, ID= 150A RDS(ON) 文件：873.88 Kbytes 页数：4 Pages	BYCHIP 百域芯	BYCHIP
HUF76107D3	文件：109.39 Kbytes Page：10 Pages	20A, 30V, 0.052 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs These N-Channel power MOSFETs are manufactured using the innovative UltraFET™ process. This advanced process technology achieves the lowest possible on-resistance per silicon area, resulting in outstanding performance. This device is capable of withstanding high energy in the avalanche mode and t 文件：109.39 Kbytes 页数：10 Pages	INTERSIL	INTERSIL
HUF76107D3	文件：284.05 Kbytes Page：11 Pages	20A, 30V, 0.052 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs These N-Channel power MOSFETs are manufactured using the innovative UltraFET™ process. This advanced process technology achieves the lowest possible on-resistance per silicon area, resulting in outstanding performance. This device is capable of withstanding high energy in the avalanche mode and t 文件：284.05 Kbytes 页数：11 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD

详细参数

型号：
HUF76107D3S
功能描述：
MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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