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HUF76139S3S	文件：293.21 Kbytes Page：11 Pages	75A,30V,0.0075Ohm,N-Channel,LogicLevelUltraFETPowerMOSFETs TheseN-ChannelpowerMOSFETsaremanufacturedusingtheinnovativeUltraFET™process.Thisadvancedprocesstechnologyachievesthelowestpossibleon-resistancepersiliconarea,resultinginoutstandingperformance.Thisdeviceiscapableofwithstandinghighenergyintheavalanchemodeandth	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
HUF76139S3S	文件：121.18 Kbytes Page：10 Pages	75A,30V,0.0075Ohm,N-Channel,LogicLevelUltraFETPowerMOSFETs TheseN-ChannelpowerMOSFETsaremanufacturedusingtheinnovativeUltraFET™process.Thisadvancedprocesstechnologyachievesthelowestpossibleon-resistancepersiliconarea,resultinginoutstandingperformance.Thisdeviceiscapableofwithstandinghighenergyintheavalanchemodeandth	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil

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HUF76139S3S

文件：293.21 Kbytes

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75A,30V,0.0075Ohm,N-Channel,LogicLevelUltraFETPowerMOSFETs

TheseN-ChannelpowerMOSFETsaremanufacturedusingtheinnovativeUltraFET™process.Thisadvancedprocesstechnologyachievesthelowestpossibleon-resistancepersiliconarea,resultinginoutstandingperformance.Thisdeviceiscapableofwithstandinghighenergyintheavalanchemodeandth

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

HUF76139S3S

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75A,30V,0.0075Ohm,N-Channel,LogicLevelUltraFETPowerMOSFETs

IntersilIntersil Corporation

瑞萨电子瑞萨电子株式会社

Intersil

详细参数

型号：
HUF76139S3ST
功能描述：
MOSFET USE 512-FDB8896 Logic Level N-Ch
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多HUF76139S3ST供应商更新时间2024-5-21 14:00:00

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