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HUF76407D3	文件：234.26 Kbytes Page：10 Pages	11A, 60V, 0.107 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET Features •UltraLowOn-Resistance -rDS(ON)=0.092Ω,VGS=10V -rDS(ON)=0.107Ω,VGS=5V •SimulationModels -TemperatureCompensatedPSPICE®andSABER™ ElectricalModels -SpiceandSABERThermalImpedanceModels -www.fairchildsemi.com •PeakCurrentvsPulse	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
HUF76407D3	文件：334.99 Kbytes Page：9 Pages	11A, 60V, 0.107 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET Features •UltraLowOn-Resistance -rDS(ON)=0.092Ω,VGS=10V -rDS(ON)=0.107Ω,VGS=5V •SimulationModels -TemperatureCompensatedPSPICE®andSABER© ElectricalModels -SpiceandSABER©ThermalImpedanceModels -www.Intersil.com •PeakCurrentvsPulseWidt	Intersil Intersil Corporation	Intersil
HUF76407D3	文件：300 bytes Page：1 Pages	11A, 60V, 0.107 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET;	RenesasRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	Renesas
HUF76407D3	文件：300 bytes Page：1 Pages	11A, 60V, 0.107 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET;	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
HUF76407D3S	文件：300 bytes Page：1 Pages	N 沟道，逻辑电平，UltraFET 功率 MOSFET，60V，11A，107mΩ; •超低导通电阻\n•仿真模型\n•峰值电流与脉宽曲线\n•UIS 额定值曲线\n•开关时间与RGS曲线\n; N-Channel Logic Level UltraFET Power MOSFET 60V, 11A, 107mΩ	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
HUF76407D3S	文件：234.26 Kbytes Page：10 Pages	11A, 60V, 0.107 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET Features •UltraLowOn-Resistance -rDS(ON)=0.092Ω,VGS=10V -rDS(ON)=0.107Ω,VGS=5V •SimulationModels -TemperatureCompensatedPSPICE®andSABER™ ElectricalModels -SpiceandSABERThermalImpedanceModels -www.fairchildsemi.com •PeakCurrentvsPulse	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
HUF76407D3S	文件：334.99 Kbytes Page：9 Pages	11A, 60V, 0.107 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET Features •UltraLowOn-Resistance -rDS(ON)=0.092Ω,VGS=10V -rDS(ON)=0.107Ω,VGS=5V •SimulationModels -TemperatureCompensatedPSPICE®andSABER© ElectricalModels -SpiceandSABER©ThermalImpedanceModels -www.Intersil.com •PeakCurrentvsPulseWidt	Intersil Intersil Corporation	Intersil
HUF76407D3ST	文件：635.47 Kbytes Page：5 Pages	N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features VDS=60V,ID=50A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip

技术参数

Pb-free：
Pb
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
60
VGS Max (V)：
±16
VGS(th) Max (V)：
3
ID Max (A)：
11
PD Max (W)：
38
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
117
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
92
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
5.2
Ciss Typ (pF)：
350
Package Type：
DPAK-3/TO-252-3

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深圳市高捷芯城科技有限公司	HUF76407D3	onsemi(安森美)	24+	IPAK	9062	支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。	询价
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更多HUF76407D3供应商更新时间2025-7-28 16:12:00

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