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HUF76113DK8	文件：210.91 Kbytes Page：12 Pages	6A,30V,0.032Ohm,DualN-Channel,LogicLevelUltraFETPowerMOSFET ThisN-ChannelpowerMOSFETismanufacturedusingtheinnovativeUltraFETprocess.Thisadvancedprocesstechnologyachievesthelowestpossibleon-resistancepersiliconarea,resultinginoutstandingperformance.Thisdeviceiscapableofwithstandinghighenergyintheavalanchemodeandthedi	Intersil Intersil Corporation	Intersil
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HUF76113DK8

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6A,30V,0.032Ohm,DualN-Channel,LogicLevelUltraFETPowerMOSFET

ThisN-ChannelpowerMOSFETismanufacturedusingtheinnovativeUltraFETprocess.Thisadvancedprocesstechnologyachievesthelowestpossibleon-resistancepersiliconarea,resultinginoutstandingperformance.Thisdeviceiscapableofwithstandinghighenergyintheavalanchemodeandthedi

Intersil

Intersil Corporation

Intersil

HUF76113DK8

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6A,30V,0.032Ohm,DualN-Channel,LogicLevelUltraFETPowerMOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

详细参数

型号：
HUF76113DK8T
功能描述：
MOSFET USE 512-FDS6912A Logic Level N-Ch
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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