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TEP12T	文件：293.28 Kbytes Page：5 Pages	Marking：H12；Package：SOD-323；Single Line Uni-directional Transient Voltage Suppressor	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
FQP12N65C	文件：473.94 Kbytes Page：7 Pages	Marking：H12N65P；Package：TO-220AB；N-Channel MOSFET ■Features OriginativeNewDesign SuperiorAvalancheRuggedTechnology RobustGateOxideTechnology VeryLowIntrinsicCapacitances ExcellentSwitchingCharacteristics UnrivalledGateCharge:38nC(Typ.) ExtendedSafeOperatingArea LowerRDS(ON):0.67Ω(Typ.)@VGS=10V 100%AvalancheTe	HAOHAIHAOHAI ELECTRONICS CO., LTD. 浩海电子深圳市浩海电子有限公司	HAOHAI
FQPF12N65C	文件：473.94 Kbytes Page：7 Pages	Marking：H12N65F；Package：TO-220FP；N-Channel MOSFET ■Features OriginativeNewDesign SuperiorAvalancheRuggedTechnology RobustGateOxideTechnology VeryLowIntrinsicCapacitances ExcellentSwitchingCharacteristics UnrivalledGateCharge:38nC(Typ.) ExtendedSafeOperatingArea LowerRDS(ON):0.67Ω(Typ.)@VGS=10V 100%AvalancheTe	HAOHAIHAOHAI ELECTRONICS CO., LTD. 浩海电子深圳市浩海电子有限公司	HAOHAI
HRH12N65ANF	文件：2.21006 Mbytes Page：11 Pages	Marking：H12N65ANF；Package：TO-220F；650V N-Channel Planar MOSFET Features RDSON≤0.8Ω@Vgs=10V,Id=6A ⚫UltraLowgateCharge(typicaltypical42nC) ⚫LowCrss(typicaltypical4.6pF) ⚫Fastswitchingcapability ⚫100avalanchetested ⚫Improveddv/dtcapability Applications SwitchModePowerSupply( UninterruptiblePowerSupply( PowerFacto	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
HRH12N65ANP	文件：2.21006 Mbytes Page：11 Pages	Marking：H12N65ANP；Package：TO-220；650V N-Channel Planar MOSFET Features RDSON≤0.8Ω@Vgs=10V,Id=6A ⚫UltraLowgateCharge(typicaltypical42nC) ⚫LowCrss(typicaltypical4.6pF) ⚫Fastswitchingcapability ⚫100avalanchetested ⚫Improveddv/dtcapability Applications SwitchModePowerSupply( UninterruptiblePowerSupply( PowerFacto	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
HRH12N65ANV	文件：2.21006 Mbytes Page：11 Pages	Marking：H12N65ANV；Package：TO-3P；650V N-Channel Planar MOSFET Features RDSON≤0.8Ω@Vgs=10V,Id=6A ⚫UltraLowgateCharge(typicaltypical42nC) ⚫LowCrss(typicaltypical4.6pF) ⚫Fastswitchingcapability ⚫100avalanchetested ⚫Improveddv/dtcapability Applications SwitchModePowerSupply( UninterruptiblePowerSupply( PowerFacto	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
HRH12N65ANW	文件：2.21006 Mbytes Page：11 Pages	Marking：H12N65ANW；Package：TO-247；650V N-Channel Planar MOSFET Features RDSON≤0.8Ω@Vgs=10V,Id=6A ⚫UltraLowgateCharge(typicaltypical42nC) ⚫LowCrss(typicaltypical4.6pF) ⚫Fastswitchingcapability ⚫100avalanchetested ⚫Improveddv/dtcapability Applications SwitchModePowerSupply( UninterruptiblePowerSupply( PowerFacto	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY

产品属性

产品编号：
H12
制造商：
3M
类别：
胶带，粘合剂，材料 > 胶带分配器
系列：
Scotch®
包装：
盒
类型：
手持式分配器，带手动制动器
胶带宽度 - 最大值：
1.00"（25.40mm）
描述：
APPLICATOR PERFORM 1\

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