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FQPF12N65C

丝印:H12N65F;Package:TO-220FP;N-Channel MOSFET

■Features Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge: 38nC(Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON): 0.67Ω(Typ.) @ VGS=10V 100% Avalanche Te

文件:473.94 Kbytes 页数:7 Pages

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更多H12N65F供应商 更新时间2025-9-21 14:14:00