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FQPF12N65C	文件：473.94 Kbytes Page：7 Pages	Marking：H12N65F；Package：TO-220FP；N-Channel MOSFET ■Features OriginativeNewDesign SuperiorAvalancheRuggedTechnology RobustGateOxideTechnology VeryLowIntrinsicCapacitances ExcellentSwitchingCharacteristics UnrivalledGateCharge:38nC(Typ.) ExtendedSafeOperatingArea LowerRDS(ON):0.67Ω(Typ.)@VGS=10V 100%AvalancheTe	HAOHAIHAOHAI ELECTRONICS CO., LTD. 浩海电子深圳市浩海电子有限公司	HAOHAI
FTK12N65DD	文件：427.29 Kbytes Page：7 Pages	12Amps,650VoltsN-CHANNELMOSFET	FS First Silicon Co., Ltd	FS
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FTK12N65F-F	文件：482.52 Kbytes Page：7 Pages	12Amps,650VoltsN-CHANNELMOSFET	FS First Silicon Co., Ltd	FS
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FTK12N65P	文件：427.29 Kbytes Page：7 Pages	12Amps,650VoltsN-CHANNELMOSFET	FS First Silicon Co., Ltd	FS
FTK12N65PD	文件：427.29 Kbytes Page：7 Pages	12Amps,650VoltsN-CHANNELMOSFET	FS First Silicon Co., Ltd	FS
G12N65F	文件：755.03 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description ThisadvancedMOSFETfamilyhasoptimizedon-state resistance,andalsoprovidessuperiorswitching performanceandhigheravalancheenergystrength.This devicefamilyissuitableforhighefficiencyswitchmode powersupplies. Application lLEDpowersupplies lCellPhoneC	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD

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