| 零件编号 | 下载 订购 | 功能描述/丝印 | 制造商 上传企业 | LOGO |
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Marking：H12N65P；Package：TO-220AB；N-Channel MOSFET ■Features OriginativeNewDesign SuperiorAvalancheRuggedTechnology RobustGateOxideTechnology VeryLowIntrinsicCapacitances ExcellentSwitchingCharacteristics UnrivalledGateCharge:38nC(Typ.) ExtendedSafeOperatingArea LowerRDS(ON):0.67Ω(Typ.)@VGS=10V 100%AvalancheTe | HAOHAIHAOHAI ELECTRONICS CO., LTD. 浩海电子深圳市浩海电子有限公司 | HAOHAI |
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