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FQP12N65C	文件：473.94 Kbytes Page：7 Pages	丝印：H12N65P；Package：TO-220AB；N-Channel MOSFET ■Features Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge: 38nC(Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON): 0.67Ω(Typ.) @ VGS=10V 100% Avalanche Te 文件：473.94 Kbytes 页数：7 Pages	HAOHAI 浩海电子	HAOHAI

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更多H12N65P供应商更新时间2026-4-13 19:01:00