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FQP12N65C中文资料浩海电子数据手册PDF规格书

FQP12N65C
厂商型号

FQP12N65C

功能描述

N-Channel MOSFET

丝印标识

H12N65P

封装外壳

TO-220AB

文件大小

473.94 Kbytes

页面数量

7

生产厂商 HAOHAI ELECTRONICS CO., LTD.
企业简称

HAOHAI浩海电子

中文名称

深圳市浩海电子有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-7-1 18:00:00

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FQP12N65C规格书详情

■Features

Originative New Design

Superior Avalanche Rugged Technology

Robust Gate Oxide Technology

Very Low Intrinsic Capacitances

Excellent Switching Characteristics

Unrivalled Gate Charge: 38nC(Typ.)

Extended Safe Operating Area

Lower RDS(ON): 0.67Ω(Typ.) @ VGS=10V

100% Avalanche Tested

Package: TO-220AB & TO-220F

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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