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H11D1S-TA1	文件：196.8 Kbytes Page：9 Pages	Property of Lite-On Only FEATURES Currenttransferratio (CTR:MIN.20atIF=10mA,VCE=10V) Highisolationvoleagebetweeninputandoutput (Viso=5,000Vrms) VeryHighcollector-emitterbreakdownvoltage (BVCER=300V) Dual-in-linepackage: H11D1:1-channeltype	LITEONLite-On Technology Corporation 光宝科技光宝科技股份有限公司	LITEON
H11D1SVM	文件：339.94 Kbytes Page：10 Pages	6-PinDIPHighVoltagePhototransistorOptocouplers Description The4N38M,H11D1M,H11D3MandMOC8204Mare phototransistor−typeopticallycoupledoptoisolators.Agallium arsenideinfraredemittingdiodeiscoupledwithahighvoltageNPN siliconphototransistor.Thedeviceissuppliedinastandardplastic six−pindual−in−linepackage. Fea	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
H11D1TVM	文件：339.94 Kbytes Page：10 Pages	6-PinDIPHighVoltagePhototransistorOptocouplers Description The4N38M,H11D1M,H11D3MandMOC8204Mare phototransistor−typeopticallycoupledoptoisolators.Agallium arsenideinfraredemittingdiodeiscoupledwithahighvoltageNPN siliconphototransistor.Thedeviceissuppliedinastandardplastic six−pindual−in−linepackage. Fea	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
H11D1VM	文件：339.94 Kbytes Page：10 Pages	6-PinDIPHighVoltagePhototransistorOptocouplers Description The4N38M,H11D1M,H11D3MandMOC8204Mare phototransistor−typeopticallycoupledoptoisolators.Agallium arsenideinfraredemittingdiodeiscoupledwithahighvoltageNPN siliconphototransistor.Thedeviceissuppliedinastandardplastic six−pindual−in−linepackage. Fea	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
H11D1W	文件：382.03 Kbytes Page：8 Pages	HIGHVOLTAGEPHOTOTRANSISTOROPTOCOUPLERS DESCRIPTION TheH11DXand4N38arephototransistor-typeopticallycoupledoptoisolators.AninfraredemittingdiodemanufacturedfromspeciallygrowngalliumarsenideisselectivelycoupledwithahighvoltageNPNsiliconphototransistor.Thedeviceissuppliedinastandardplasticsix-pindua	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
H11D1X	文件：78.54 Kbytes Page：3 Pages	HIGHVOLTAGEOPTICALLYCOUPLEDISOLATORPHOTOTRANSISTOROUTPUT DESCRIPTION TheH11DseriesofopticallycoupledisolatorsconsistofinfraredlightemittingdiodeandNPNsiliconphototransistorinastandard6pindualinlineplasticpackage. FEATURES Options:- 10mmleadspread-addGafterpartno. Surfacemount-addSMafterpart	ISOCOMISOCOM COMPONENTS 英国安数光	ISOCOM
LWTN-11D1	文件：146.39 Kbytes Page：5 Pages	PowerTransducerSeriesL-UNIT	MSYSTEMM-System Co.,Ltd. 爱模爱模系统有限公司	MSYSTEM
LWTN-11D1SLASHQ	文件：146.39 Kbytes Page：5 Pages	PowerTransducerSeriesL-UNIT	MSYSTEMM-System Co.,Ltd. 爱模爱模系统有限公司	MSYSTEM
PRG11D1	文件：143.5 Kbytes Page：3 Pages	PRG11D1-BroadbandCoax,RG11Type,15AWGSolidBC,TriShield,70TCBraid,LSZHJkt ProductDescription BroadbandCoax,RG11Type,15AWGSolidBareCopperConductor,PEInsulation,DuobondPlus®+70TinnedCopperBraidShield,LSZHJacket	BELDENBelden Inc. 百通电缆设计科技有限公司	BELDEN

详细参数

型号：
H11D1S-TA
功能描述：
晶体管输出光电耦合器 PTR 30%, 5KV
RoHS：
否
制造商：
Vishay Semiconductors
输入类型：
DC
最大集电极/发射极电压：
70 V
最大集电极/发射极饱和电压：
0.4 V
绝缘电压：
5300 Vrms
电流传递比：
100 % to 200 %
最大正向二极管电压：
1.65 V
最大输入二极管电流：
60 mA
最大集电极电流：
100 mA
最大功率耗散：
100 mW
最大工作温度：
+ 110 C
最小工作温度：
- 55 C
封装/箱体：
DIP-4
封装：
Bulk

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